مباحث الکترونیک صنعتی از جمله به روزترین مباحث در گرایش قدرت، کنترل و الکترونیک است. در این گزارش کار 4 آزمایش در خصوص مباحث الکترونیک صنعتی طرح شده و پاسخ داده شده اند، به گونه ای که از یک سو برای فراگیران محصل، دید مناسبی از کاربرد این درس در صنعت با مثال های در نظر گرفته شده، فراهم شود و از سوی دیگر با بیان علمی مطالب پایه علمی مباحث برای فراگیران شاغل در صنعت نیز حاصل شود.

فهرست مطالب:

آزمایش 1 - آزمایش SCR و نحوه تست آن توسط مولتی متر عقربه ای، SCR در مدار DC، SCR در مدار AC

آزمایش 2 - دیاک، استخراج منحنی دیاک در مدارهای مختلف

آزمایش 3 - روشن و خاموش کردن تریستورها

آزمایش 4 - کنترل زاویه آتش

The operation of hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diodes has been evaluated, and an approach for optimizing the back surface field (BSF) layer of a InGaP/GaAs dual-junction (DJ) solar cell developed. The results show that the hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diode transferred more electrons and holes and showed less recombination between the top and bottom cells with increased efficiency (g) in the InGaP/GaAs DJ solar cell. To achieve higher open-circuit voltage (Voc), GaAs semiconductor was investigated to match with Al0.52In0.48P with bandgap of 2.4 eV, and replacement of the bottom cell in the InGaP/GaAs DJ solar cell with such an Al0.52In0.48P–GaAs heterojunction increased the photogeneration in this region. In the next step, addition of a BSF layer to the top cell required two BSF layers in the bottom cell to optimize the short-circuit current (Jsc) and g. The thickness and doping of the BSF layers were increased to obtain the highest g for the cell. The proposed structure was then compared with previous works. The proposed structure yielded Voc = 2.46 V, Jsc = 30 mA/cm2, fill factor (FF) = 88.61%, and n = 65.51% under AM1.5 (1 sun) illumination.

ترجمه این مقاله در 22 صفحه به صورت تایپ شده در دو قالب word و PDF در پوشه فایل دانلود شده موجود است.

این درس، هنر بکارگیری ریاضیات بر سیستم های واقعی پیچیده است که با ادغام تئوری های ریاضیاتی، مهندسی عملی و محاسبات علمی به حل مسائل مختلف در مهندسی می پردازد. می توان گفت بدون استفاده از ریاضیات مهندسی امکان حل بسیاری از مسائل مهندسی وجود ندارد. بطور مثال در مهندسی برق، برای بررسی نحوه پخش ولتاژ الکتریکی در داخل اجسام رسانا و یا در مهندسی مکانیک برای تحلیل ارتعاشات یک صفحه مستطیلی، از معادلات دیفرانسیل با مشتقات جزئی استفاده می شود که این موضوع به صورت دقیق در ریاضیات مهندسی آموزش داده می شود. درک مسائل این درس تنها با حل کردن سوالات مختلف آسان می شود. بنابراین در این پست تلاش کرده ایم تا مجموعه کاملی از سوالات ریاضیات مهندسی را جمع آوری کرده و در اختیار شما عزیزان قرار دهیم. تعداد زیادی از این سوالات حل شده اند و بدین ترتیب دانشجو با نحوه پاسخگویی به سوالات نیز آشنا می شود. 

Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

این مجموعه شامل 80 سوالات تستی و 16 سوال تشریحی است و به 40 سوال تستی آن پاسخ داده شده است.